Накопитель SSD Samsung PM961 512Gb NVMe M.2 Gen3x4 (MZ-VKW5120 / MZVKW512HMJP) (new)

Модель: 121244
Виробник: Samsung
0
Під замовлення
2565.00 грн.

Samsung PM961 512Gb NVMe M.2 Gen3x4 – твердотельный накопитель корпоративного класса с интерфейсом PCIe 3.0 x4 и поддержкой NVMe. Оснащён контроллером Samsung Polaris и памятью 3D TLC V-NAND, он обеспечивает отличную производительность, надёжность и низкое энергопотребление.

Основные характеристики:

  • Форм-фактор: M.2 2280 – подходит для современных ноутбуков и ПК.
  • Интерфейс: PCIe Gen3 x4, NVMe – высокая скорость и низкие задержки.
  • Объём: 512 ГБ – оптимально для операционной системы, приложений и рабочих данных.
  • Тип памяти: 3D TLC V-NAND – надёжная и быстрая память от Samsung.
  • Контроллер: Samsung Polaris – эффективная работа даже под нагрузкой.
  • Скорость чтения: до 2800 МБ/с – быстрая загрузка ОС и программ.
  • Скорость записи: до 1600 МБ/с – высокая эффективность при передаче данных.
  • TBW: до 300 ТБ – ресурс для активного повседневного использования.
  • MTBF: 1.5 млн часов – надёжная работа в течение многих лет.

Преимущества:

  • NVMe-производительность – в разы быстрее SATA SSD.
  • Компактность и бесшумность – подходит для мобильных решений.
  • Низкое энергопотребление – экономия заряда аккумулятора.
  • Samsung OEM – стабильность и качество корпоративного уровня.

Кому подойдёт:

– Пользователям, желающим обновить ПК или ноутбук на NVMe SSD.
– Профессионалам, работающим с фото, видео, графикой, кодом.
– Сборщикам рабочих станций и интеграторам решений.
– Тем, кто ценит надёжность и производительность Samsung.

Технические характеристики SSD накопителя
Бренд диска Samsung
Объем диска 512Gb
Форм-фактор диска M.2 2280
Интерфейс M.2 NVMe
Тип флеш-памяти 3D TLC NAND
Ресурс TBW 150
Ресурс DWPD 0.3
Тип диска SSD
Скорость записи 1700 МБ/с
Скорость чтения 3200 МБ/с
MTBF 1.5 млн. часов
Интерфейс PCIe Gen3x4
Дополнительные характеристики
Состояние товара Новый
Написати відгук
Увага: HTML розмітка не підтримується. Використовуйте звичайний текст.